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大连理工研制出高可靠性、低功耗、高灵敏度集成传感器_亚英体育

发布时间:2021-05-31 01:46:01来源:亚英体育-亚英体育app|首页编辑:亚英体育-亚英体育app|首页阅读: 当前位置:首页 > 奇趣自然 > 手机阅读

大连理工大学黄辉教授团队研发了自性电流“纳米线桥接生长技术”,解决问题了纳米线器件的排序装配、电极认识及材料稳定性问题,制取出有高可靠性(8个月电阻变化率0.8%)、低功耗(可室温工作)及高灵敏度(NO2检测缩0.5ppb)的GaN纳米线气体传感器,该传感器可推展至生物检测以及形变突发事件检测等,实验结果公开发表在国际纳米领域顶级期刊“NanoLetters”。目前,半导体集成电路芯片(IC)发展快速增长,推展着物联网和人工智能产业的蓬勃发展。如果把IC比作人的大脑,传感器则相等于的人的感官器官,二者相互依存。

但是,传感器(尤其是可构建微纳传感器)的发展程度,相比之下迟缓于IC的发展水平。因此,微纳传感器(或传感芯片)将是时隔IC产业之后的另一根本性产业。

黄辉团队,首次研究了纳米线桥接生长中的宿主沉积效应,发明者了一种融合气流遮盖效应与表面腐蚀效应的桥接生长方法,解决问题了宿主沉积问题;并首次构建了“自性电流”的GaN桥接纳米线,在此基础上研制出低稳定性、低功耗以及高灵敏度的构建纳米线气体传感器。尤其是,GaN材料是第三代半导体,具备出色的稳定性(耐高温、抗氧化、耐酸碱生锈)和生物兼容性,限于于严苛环境下的形变突发事件以及液体和气体样品的检测(实验证明氢氟酸生锈48小时并未对GaN纳米线产生影响),应用领域十分普遍。

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该技术将推展传感芯片的发展。:亚英体育。

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